دانلود پاورپوینت بررسی نانوذرات توسط ميكروسكوپ الكتروني عبوري روبشي

  دانلود پاورپوینت بررسی نانوذرات توسط ميكروسكوپ الكتروني عبوري روبشي

مطالعه نانوذرات توسط ميكروسكوپ الكتروني عبوري روبشي

عنوان های پاورپوینت بررسی نانوذرات توسط ميكروسكوپ الكتروني عبوري روبشي عبارتند از :

بررسی نانوذرات توسط ميكروسكوپ الكتروني عبوري روبشي
مطالعه نانوذرات توسط ميكروسكوپ الكتروني عبوري روبشي
مقدمه

سيگنالهاي توليد شده درداخل يك ميكروسكوپ STEM
حالت هاي مختلف تصويربرداري

دستگاه هاي STEM

تصويربرداري STEM زمينه روشن (BF) و زمينه تيره (DF) با قدرت تفكيك بالا

شکل هندسي آشكارسازهاي BF، ADF وHAADF
نشر الكترونهاي ثانويه
آشكارسازي الكترونهاي ثانويه
طيف SE با قدرت تفكيك بالا بدست آمده از يك كريستال مكعبي MgO
قدرت تفكيك و كنتراست تصاوير SE
كنتراست تصوير ذرات كوچك
تصاوير SE با قدرت تفكيك بالا از نانوذرات نقره كه برروي سطوح تميز (a) MgO و (b) گاما آلومينا رسوب داده شده اند.
تصوير SE ولتاژ پايين با قدرت تفكيك بالا از نانوذرات Pt كه در لايه كربني فعال پراكنده شده اند.
نتیجه گیری
نتیجه گیری

STEM

تکه ها و قسمت های اتفاقی از فایل بررسی نانوذرات توسط ميكروسكوپ الكتروني عبوري روبشي

مطالعه نانوذرات توسط ميكروسكوپ الكتروني عبوري روبشي
STEM
مقدمه
دستگاه هاي STEM براي بدست آوردن اطلاعات ساختاري، شيميايي و مورفولوژيكي درباره نانوذرات در مقياس اتمي يا نانومتري ساخته مي شوند.

ويژگي جالب ديگر STEM انعطاف پذيري بسيار زياد آن در سيستم آشكارسازي است.

سيگنالهاي مختلفي كه از سطح مشخصي از نمونه توليد مي شوند مي توانند بطور جداگانه يا بطور همزمان جمع آوري شوند و براي بدست آوردن اطالاعات تكميلي از نمونه مورد استفاده قرار گيرند.

هيچ چرخشي بين صفحات شييء و تصوير وجود ندارد و بزرگنمايي ميكروسكوپ مي تواند بدون كانوني كردن مجدد باريكه الكتروني براي حصول يك تصوير كانوني ، تغيير داده شود.
قدرت تفكيك تصاوير STEM توسط اندازه باريكه برخوردي، پايداري ميكروسكوپ و ويژگي هاي ذاتي فرايندهاي توليد سيگنال تعيين مي شود.
تصويربرداري چندگانه و آشكارسازهاي تحليلي براي جمع آوري همزمان چندين سيگنال كه بتوانند بطور مجزا يا به همراه هم نمايش داده شوند، ايجاد شده اند.

قابليت مهم دستگاه هاي STEM، تشكيل باريكه هاي با روشنايي بالا است.

براي ايجاد چنين باريكه الكتروني نانومتري، استفاده از تفنگ نشر ميداني (FEG) براي ايجاد سيگنالهاي قوي به منظور مشاهده و ثبت تصاوير، طيف ها و الگوهاي تفرق در STEM ضروري است.

منبع FEG حداقل 103 برابر روشنايي بيشتر از فيلامانهاي تنگستن يا LaB6 كه بطور متداول در دستگاه هاي TEM استفاده مي شوند، دارند در حاليكه قطر منبع الكترون فقط حدود 4-5 nm است.
سيگنالهاي توليد شده درداخل يك ميكروسكوپ STEM
حالت هاي مختلف تصويربرداري

با جمع آوري الكترونهاي تفرق يافته با زاويه زياد توسط يك آشكارساز حلقوي، تصاوير زمينه تيره حلقوي با زاويه زياد (HAADF) يا تصاوير كنتراست Z براي بدست آوردن اطلاعاتي از تغييرات ساختاري در مقياس اتمي، بدست مي آيند.

طيف سنجي اتلاف انرژي الكترون (EELS) و طيف سنجي پراكنش انرژي اشعه X (XEDS) مي توانند داده هاي كمّي در مورد تغييرات ساختار الكتروني، تركيب عنصري يا حالت اكسيداسيون مربوط به ساختارهاي ناهمگن بدست دهند.
تركيب تكنيك هاي XEDS و EELS با تكنيك تصويربرداري HAADF مي تواند اطلاعات جزئي در مورد تركيب، شيمي و ساختار الكتروني و كريستالي نانوذرات را با قدرت تفكيك و حساسيت اتمي حاصل كند.
دستگاه هاي STEM
بطور متداول دو نوع دستگاه STEM مورد استفاده قرار مي گيرد: STEM مجزا (DSTEM) و STEM متصل به TEM .
يك ميكروسكوپ DSTEM، براي توليد باريكه هاي الكتروني با روشنايي بالا و اندازه زيرنانومتري، از تفنگ نشرميداني سرد استفاده مي كند.
اندازه پروب هاي الكتروني مورد استفاده در TEM/STEM معمولا بسيار بزرگتر از DSTEM است. بعلاوه، عملكرد ملحقات STEM انعطاف پذيري DSTEM را ندارد.

VG Microscopes HB501UX STEM with Nion aberration corrector

VG Microscopes
HB601 STEM

VG Microscopes HB601 STEM with Nion aberration corrector

Nion UltraSTEM
تصويربرداري STEM زمينه روشن (BF) و زمينه تيره (DF) با قدرت تفكيك بالا
وقتي يك باريكه الكتروني ظريف با يك كريستال نازك داراي جهت گيري در امتداد محور اصلي، برخورد مي كند، يك الگوي تفرق الكترون حاوي مجموعه اي از ديسك هاي تفرق بدست مي آيد.

هر حلقه داراي نيمه زاويه مشابه است كه توسط اندازه روزنه شييء تعيين مي شود ،آنگاه ديسك هاي تفرق همپوشاني مي كنند.

همپوشاني ديسك هاي تفرق در الگوي تفرق الكتروني يك باريكه همگرا
(a) نماي افقي
(b) نماي عمودي

تصاوير (a) BF STEM
(b) BF STEM با زاويه زياد ازنانوذرات Pt قرار گرفته روي كريستاليتهاي گاما آلومينا

تصاوير با قدرت تفكيك اتمي (a) BF STEM
(b) BF STEM با زاويه زياد از ناحيه از كريستال GaAs كه در راستاي محور منطقه [110] جهت گيري كرده است.
شکل هندسي آشكارسازهاي BF، ADF وHAADF
نشر الكترونهاي ثانويه
نشر الكترونهاي ثانويه از يك نمونه جامد را مي توان به يك فرايند سه مرحله اي توصيف كرد: توليد، انتقال و نشر.
فرايند نفوذ الكترون هاي ثانويه داخلي را فرايند آبشاري انتقال SE نيز مي گويند.
فرايند نشر به خواص سطحي نمونه مانند تابع كار، جاذب هاي سطحي، رسوب لايه هاي نازك، آلودگي نمونه، سختي سطح و غيره حساس است.
  دانلود پاورپوینت بررسی نانوذرات توسط ميكروسكوپ الكتروني عبوري روبشي
مطالعه نانوذرات توسط ميكروسكوپ الكتروني عبوري روبشي
قدرت تفكيك و كنتراست تصاوير SE
دو نوع الكترون ثانويه وجود دارند كه از سطح نمونه ساطع مي شوند. الكترونهاي ثانويه اي كه بطور مستقيم توسط باريكه برخوردي توليد مي شوند به SE1 گفته مي شوند و آنهايي كه توسط الكترونهاي بازگشتي توليد و SE2 ناميده مي شوند.

هم قدرت تفكيك و هم كنتراست تصاوير SE به دانسيته جريان موضعي الكترونهاي ثانويه ساطع شده بستگي دارد. با يك باريكه بسيار كوچك، توزيع سه بعدي SE1 و SE2 كنتراست و قدرت تفكيك تصوير تعيين مي شود.
كنتراست تصوير ذرات كوچك
به دليل اثر انعكاس داخلي مربوط به الكترونهاي ثانويه كم انرژي، فقط حدود 10% از الكترونهاي ثانويه داخلي كه انرژي بيشتري از موانع سطحي دارند، مي توانند از يك سطح صاف فرار كنند.

ذرات كوچك اغلب با كنتراست روشن ديده مي شوند.
تصاوير SE با قدرت تفكيك بالا از نانوذرات نقره كه برروي سطوح تميز (a) MgO و (b) گاما آلومينا رسوب داده شده اند.
تصوير SE ولتاژ پايين با قدرت تفكيك بالا از نانوذرات Pt كه در لايه كربني فعال پراكنده شده اند.
نتیجه گیری
مورفولوژي سطح نمونه را مي توان در مقياس نانومتري از طريق جمع آوري الكترونهاي ثانويه مورد بررسي قرار داد.

  دانلود پاورپوینت بررسی نانوذرات توسط ميكروسكوپ الكتروني عبوري روبشي
مطالعه نانوذرات توسط ميكروسكوپ الكتروني عبوري روبشي

30 تا 70 درصد پروژه | پاورپوینت | سمینار | طرح های کارآفرینی و  توجیهی |  پایان-نامه |  پی دی اف  مقاله ( کتاب ) | نقشه | پلان طراحی |  های آماده به صورت رایگان میباشد ( word | pdf | docx | doc | )