دانلود پاورپوینت تحلیل و ارزیابی الکترونیک دیجیتال و منطق CMOS

\n

\n

عنوان های پاورپوینت  : 

\n

الکترونیک دیجیتال منطق CMOS

\n

مقدمه

\n

منطق CMOS

\n

معکوس کننده CMOS

\n

گیت های پایه

\n

پیاده سازی تابع

\n

معکوس کننده CMOS

\n

مشخصه انتقال ولتاژ

\n

خلاصه منحنی مشخصه

\n

مثال

\n

تاخیر انتشار

\n

تاخیر انتشار

\n

مثال

\n

جریان اتصال کوتاه

\n

مثال

\n

اتلاف توان

\n

توان سوئیچنگ خازنی

\n

اتلاف توان اتصال کوتاه

\n

اتلاف توان ناشی از جریانهای نشتی

\n

اتلاف توان مربوط به subthreshold

\n

اتلاف توان مربوط به جریان معکوس پیوند pn

\n

اتلاف توان مربوط به جریان نشتی اکسید گیت

\n

خلاصه اتلاف توان

\n

مثال

\n

Fan Out

\n

تغییر مقیاس

\n

گیت XOR

\n

خانواده 74HCxx

\n

مثال

\n

ادامه مثال

\n

ادامه مثال

\n

انواع مدارات CMOS

\n

منطق شبه NMOS

\n

گیت XOR در منطق شبه NMOS

\n

بافرینگ CMOS

\n

مثال

\n

ادامه مثال

\n

مثال

\n

افزایش طبقات بافر

\n

CMOS پویا

\n

CMOS پویا

\n

CMOS پویا

\n

سرعت و توان مصرفی گیت های پویا

\n

نشت بار

\n

ترانزیستور bleeder

\n

اشتراک بار

\n

CMOS پویا

\n

سایرگیت های پویا

\n

گیت های پویا با استفاده از شبکه Pull-UP

\n

برخی از خواص مهم گیتهای پویا

\n

پشت سر هم بستن مدارات پویا

\n

پشت سر هم بستن مدارات پویا

\n

منطق دومینو

\n

مقابله با خاصیت non-inverting منطق دومینو

\n

منطق دومینوی تفاضلی

\n

کوئیز

\n

\n

منطق دومینو np-CMOS

\n

منطق دومینو np-CMOS

\n

خروجی مدارات زیر چیست؟

\n

منطق ترانزیستور عبور

\n

انتقال سطح منطقی 1

\n

اتصال پشت سرهم ترانزیستورهای عبور

\n

VTC of the pass transistor AND gate

\n

توان مصرفی گیت ترانزیستور عبور

\n

Differential Pass Transistor Logic

\n

Differential Pass Transistor Logic

\n

Four-input NAND in CPL

\n

Level Restoration

\n

Transmission Gate Logic

\n

Transmission Gate Logic

\n

مثال

\n

مثال

\n

ارزیابی کارائی ترانزیستورهای عبور و گیت انتقال

\n

ارزیابی کارائی ترانزیستورهای عبور و گیت انتقال

\n

تاخیر انتشار زنجیره ای از گیت های انتقال

\n

تاخیر انتشار زنجیره ای از گیت های انتقال

\n \n\nقسمت ها و تکه های اتفاقی از فایل\n\n \n\nالکترونیک دیجیتال منطق CMOS\n\nمنطق CMOS\n\nیک تابع f(a,b,…x) را میتوان با استفاده دو مدار متمم مطابق شکل مقابل پیاده سازی نمود.\n\nبازای ترکیب مورد نظر ورودی ها فقط یکی از مدارات pull up  و یا pull down فعال شده و باعث میشود تا خروجی به منبع تغذیه و یا زمین وصل شود.\n\nدر منطق CMOS برای ساختن مدارات pull up از ترانزیستور های نوع p و برای ساختن مدارات pull down  از ترانزیستور های نوع n استفاده میشود.\n\n \n\n \n\nمعکوس کننده CMOS\n\nگیت های پایه\n\nپیاده سازی تابع\n\nمعکوس کننده CMOS\n\nیک معکوس کننده CMOS از یک ترانزیستور افزایشی  NMOS  و یک ترانزیستور افزایشی PMOS تشکیل میشود.\n\nبازای ورودی VIN=0 ترانزیستور n قطع بوده و ترانزیستور p در ناحیه خطی است. لذا خروجی در منطق یک قرار گرفته و برابر است با VDD\n\nبازای ورودی VIN=VDD ترانزیستور n در ناحیه خطی قرار گرفته و ترانزیستور p قطع است. لذا خروجی صفر است.\n\nدر هر دو حالت جریانی که از منبع کشیده میشود بسیار ناچیز و در حد جریان نشتی ناحیه قطع ترانزیستور است از اینرو توان مصرفی این گیت بسیار کم است.\n\nاندازه هر ترانزیستور رانزیستور دو قطبی و ندازه مقاومت است لذا امکان مجتمع سازی این وسیله بسیار زیاد است.\n\nتاخیر گیت های امروزی در حد یپکوثانیه است.\n\nتنها نقطه ضعف آنها تغذیه مدارات بیرونی است که از این لحاظ تکنولوژی دوقطبی هنوز بر برتری دارد.\n\nمشخصه انتقال ولتاژ\n\nوقتی ورودی مدار مقابل کمتراز باشد ترانزیستور n قطع بوده و ترانزیستورp در ناحیه خطی خود عمل خواهد نمود. درنتیجه\n\nبا افزایش ورودی ترانزیستور در ناحیه اشباع و ترانزیستور در ناحیه خطی قرار میگیرد.\n\nشرط اشباع ترانزیستور  برابر است با:\n\nاگر این شرط برقرار باشد جریانی که از منبع کشیده میشود برابر با جریان اشباع ترانزیستور خواهد شد:\n\nمشخصه انتقال ولتاژ\n\nولتاژ خروجی از رابطه زیر بدست می آید که در آن VDSPO ولتاژی منفی است.\n\n \n\nبنابراین:\n\nاز آنجائیکه مقدار از قبل معلوم نیست بعد از بدست آمدن آن باید شرایط اشباع ترانزیستور  و خطی بودن ترانزیستور دوباره چک شود.\n\nمشخصه انتقال ولتاژ\n\nبا افزایش ولتاژ ورودی ترانزیستور  نیز اشباع میشود. شرط اشباع هر دو ترانزیستور عبارت است از:\n\n \n\nبا اشباع هر دو ترانزیستور تعیین منحنی مشخصه انتقال بدون دانستن پارامترهای مدولاسیون کانال امکانپذیر نیست. یک راه ممکن درونیابی بین دو ناحیه مجاور منحنی مشخصه است.\n\nمشخصه انتقال ولتاژ\n\nبا قرار گرفتن ترانزیستور  در ناحیه خطی و  در ناحیه اشباع جریان منبع برابر با جریان ترانزیستور  خواهد بود و خروجی برابر با ترانزیستور  خواهد شد.\n\nشرط اشباع ترانزیستور و خطی بودن ترانزیستور\n\nمشخصه انتقال ولتاژ\n\nبا نزدیک شدن ورودی به ترانزیستور  قطع خواهد شد.\n\nدر این حالت جریان منبع صفر شده و خروجی نیز برابر صفر میشود.\n\nملاحظه میشود که میزان نوسان خروجی برابر با ولتاژ خواهد شد.  این خاصیت عملکرد گیت نامیده میشود که ویژگی مهمی برای آن بشمار میرود.\n\nخلاصه منحنی مشخصه\n\nمثال\n\nتاخیر انتشار\n\nبرای تخمین تاخیر انتشار گیت معکوس کننده مقابل فرض میشود که تغییر در ورودی بصورت پله ای باشد.\n\nبرای محاسبه   فرض کنید که در لحظه   ورودی از صفر به  تغییر کند. ترانزیستور  در لحظه  اشباع بوده و تا رسیدن خروجی به  در اینحالت باقی میماند. در این زمان یک جریان ثابت از ترانزیستور  عبور خواهد نمود.\n\n \n\nاین ترانزیستور با رسیدن خروجی به مقدار\n\nخطی میشود.\n\n \n\nوقتی خروجی از  میشود ترانزیستور  وارد ناحیه خطی خود میشود.\n\nدر این ناحیه میتوان ترانزیستور را با مقاومتی مدل نمود\n\nتاخیر انتشار\n\nجریان ترانزیستور در ناحیه خطی برابر است با:\n\nبا قرار دادن مقدار متوسط  در رابطه فوق میتوان مقدار متوسط مشتق فوق را تقریب زد.\n\nبدینوسیله با تقریب ترانزیستور با یک مقاومت میتوان مدار را به یک  ساده تبدیل نمود.\n\nخروجی در زمان  خود میرسد.\n\nزمان تاخیر انتشار را میتوان بصورت زیر در نظر گرفت:\n\nتاخیر انتشار\n\nمقدار تاخیر انتشار را میتوان به روش مشابهی محاسبه نمود. برای یک گیت مقدار این دو تاخیر یکسان خواهد بود.\n\n \n\n \n\nبا توجه به روابط فوق میتوان نتیجه گرفت که تاخیر انتشار با مقدار نسبت معکوس دارد.\n\nمیتوان مقدار تاخیر انتشار را با رابطه زیر تقریب زد که خطای آن حدود  است.\n\n \n\nدر ولتاژهای پائین تر برای در نظر گرفتن مقدار رابطه زیر استفاده نمود.\n\n \n\nمثال\n\nجریان اتصال کوتاه\n\nدر حالت عملکرد عادی یک گیت ورودی یا صفر است یا و لذا یکی از دو ترانزیستور قطع است و هیچ مسیری بین و زمین وجود ندارد.\n\n \n\n \n\nاما اگر ورودی مقداری بین صفر و یک داشته باشد، بازای مقدار زیر ترانزیستور n اشباع شده و جریانی از آن عبور خواهد نمود.\n\nبه همین ترتیب ترانزیستور  بازای مقدار ورودی زیر در ناحیه اشباع قرار گرفته و از آن جریان عبور خواهد نمود.\n\nمثال\n\nاتلاف توان\n\nاتلاف توان استاتیک در مدار  به جریان در ناحیه قطع و جریان نشتی گرایش معکوس پیوند های  ناحیه های سورس و درین و همچنین جریان نشتی اکسید گیت مربوط میشود.\n\nاتلاف دینامیکی مربوط به توان مصرفی اتصال کوتاه و توان سوئیچنگ خازنی مربوط میشود.\n\n \n\n \n\n۳۰ تا ۷۰ درصد پروژه / پاورپوینت / پاور پوینت / سمینار / طرح های کار افرینی / طرح توجیهی /  پایان نامه/  مقاله ( کتاب ) های اماده   به صورت رایگان میباشد